Introdução
Carboneto de silício (sic)é um amplo material semicondutor de bandgap com excelentes propriedades físicas e químicas. Suas características incluem alta largura de banda (3.2EV), alta resistência ao campo elétrico de ruptura (10 vezes a do silício), alta condutividade térmica (3,7w/cm · k) e alta velocidade de desvio de saturação de elétrons, que permitem ter um bom desempenho em ambientes de alta temperatura, alta pressão e alta frequência. Além disso, os dispositivos SiC têm baixa perda de condução, alta frequência de comutação e forte resistência à radiação, o que melhora significativamente a eficiência da conversão de energia.
Aplicativo
Sicé amplamente utilizado em eletrônicos de energia, veículos de novos energia, transporte ferroviário e energia renovável. Na eletrônica de potência, é usado para fabricar dispositivos de alta tensão e alta potência (como MOSFETs e diodos); Em novos veículos energéticos, é usado em acionamentos de motor, carregamento a bordo e sistemas de carregamento rápido; Na energia fotovoltaica e eólica, melhora a eficiência do inversor; Além disso, também é usado em cenários de alta temperatura e alta frequência, como aeroespacial, estações base 5G, etc. A tecnologia SIC está promovendo a utilização de energia eficiente e o desenvolvimento de energia verde.
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Nota |
Composição química (%) |
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Sic |
Fc |
Fe2o3 |
Umidade |
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Maior ou igual a min |
Menor ou igual a max |
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Sic 90 |
90.0 |
3.0 |
1.20 |
0.50
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Sic 88 |
88.0 |
4.0 |
1.50 |
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Sic 85 |
85.0 |
4.5 |
1.80 |
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Sic 80 |
80.0 |
5.0 |
3.0 |
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Sic 70 |
70.0 |
8.0 |
4.0 |
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Tamanho
{{0}} mm, 0-10 mm, 0-5 mm, 0. 5-5 mm; etc.
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